Si4420DY
1000
TOP
VGS
15V
1000
TOP
VGS
15V
100
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
100
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
10
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10             100
10
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
10             100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = -55°C
TJ = 25°C
T J = 150°C
VDS = 25V
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 12.5A
10
4.0
5.0
6.0
20μs PULSE WIDTH
7.0      8.0
9.0
0.0
V GS = 10V
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
-60 -40 -20 0 20  40  60  80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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